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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

      20

      通（tōng）道极性：

      N沟道

      封（fēng）装/温度(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述：

      650V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级结技术的（de）功率（lǜ）MOSFET



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